2026 年 4 月 29 日，全球第三大手机芯片设计公司联发科对外官宣，已正式聘请台积电前资深研发高管余振华担任公司副总经理，直接向 CEO 蔡力行汇报，核心职责是主导联发科 2nm 及以下先进制程工艺的研发、技术路线规划，以及与晶圆代工厂的战略合作，此举被业内视为联发科冲击高端手机芯片、AI 芯片市场的关键布局。

余振华作为台积电的核心技术骨干，拥有 20 余年先进制程研发经验，是台积电 3nm 工艺的主要负责人之一，深度参与 2nm 工艺的研发规划与技术攻坚，在 FinFET、GAA（环绕栅极）、混合键合等先进工艺技术领域拥有深厚积累与行业影响力。在台积电任职期间，他主导完成了 3nm 工艺的量产良率提升、成本优化，推动台积电 2nm 工艺按计划推进，锁定大量高端 AI 芯片订单。

此次联发科成功挖角余振华，核心目的是强化先进制程技术储备，打破当前在高端芯片市场的发展瓶颈。当前手机芯片市场，联发科在中低端领域占据优势，但在高端旗舰芯片市场，份额远低于高通；AI 芯片领域，联发科尚未推出具备竞争力的产品，错失 AI 算力爆发红利。余振华的加盟，将直接为联发科带来先进制程技术与行业资源，助力其快速推进 2nm 工艺芯片研发，打造高端手机芯片与 AI 芯片产品矩阵。

与此同时，联发科公开声明，公司先进封装技术路线将与英特尔 EMIB 方案划清界限，全力押注台积电 CoWoS 封装技术，进一步深化与台积电的战略合作。业内分析认为，联发科此举是 “选边站队”，在全球先进制程与先进封装资源高度紧张的背景下，绑定台积电将确保其先进工艺产能稳定，同时借助余振华的行业影响力，优先获取台积电 2nm 工艺产能配额。

对于台积电而言，核心技术高管被挖角，将加剧先进制程研发的人才流失风险。当前全球半导体行业高端人才竞争激烈，三星、英特尔、联发科等企业均在高薪挖角台积电技术人才，此次余振华加盟联发科，或将引发新一轮的半导体行业人才流动潮。而联发科在余振华的助力下，有望在 2027 年推出基于 2nm 工艺的高端手机芯片，直接对标高通骁龙旗舰系列，重塑全球手机芯片市场格局。