2026 年 5 月 1 日，韩国存储芯片巨头 SK 海力士对外宣布，已成功完成 12 层混合键合（Hybrid Bonding）HBM 高带宽内存芯片的技术验证，核心良率指标较上代 10 层产品提升超 20%，关键性能参数满足英伟达、AMD 等 AI 芯片厂商需求，正式进入规模化量产准备阶段。

HBM 作为 AI 服务器核心存储组件，相比传统 DRAM 具备带宽高、功耗低、容量大等优势，是支撑大模型训练与推理的关键硬件。混合键合技术作为当前 HBM 制造的主流方案，可实现晶圆间的直接键合，大幅提升堆叠层数与良率，但技术难度极高，全球仅三星、SK 海力士、美光三家掌握量产能力。

SK 海力士此次突破的 12 层混合键合 HBM，单颗芯片带宽突破 2.4TB/s，容量达 24GB，可满足英伟达 H200、AMD MI300X 等高端 AI 芯片的配套需求。公司表示，通过优化键合工艺、升级洁净室环境、改进良率控制体系，12 层 HBM 良率已稳定达到规模化量产标准，较去年同期 10 层产品良率提升 20% 以上，生产成本同步下降 15%。

产能规划方面，SK 海力士计划 2026 年 HBM 产能提升 3 倍，全年出货量突破 50 万片，市场份额从当前 25% 提升至 35%。为实现这一目标，公司已启动韩国清州、中国无锡两大 HBM 生产基地扩建，新增产能预计 2026 年 Q3 逐步释放，2027 年将形成年产 120 万片 HBM 的产能规模。

业内人士分析，SK 海力士 12 层 HBM 技术突破，将直接冲击三星在高端 HBM 市场的主导地位。当前全球 HBM 市场供需缺口超 40%，三星、SK 海力士均处于满产状态，而 SK 海力士良率提升与产能扩张，将使其在与英伟达、AMD 的合作中获得更多议价权，同时加速全球 AI 服务器产业链的成熟。