2026 年 4 月 30 日，三星电子发布 2026 年第一季度财报，业绩远超市场预期。数据显示，三星芯片业务营业利润高达 53.7 万亿韩元（约合 2800 亿元人民币），同比激增 4800%；公司整体净利润达 47.1 万亿韩元，同比增长超 300%，创下历史同期最高纪录。

此次业绩爆发核心驱动力来自 AI 产业催生的存储芯片超级周期。随着全球 AI 服务器、大模型训练需求爆发，HBM 高带宽内存、DRAM、NAND 闪存价格持续暴涨。2026 年 Q1，DRAM 合约价涨幅达 90%-100%，NAND 闪存涨幅 55%-90%，二季度预计再涨 50%-75%，远超市场此前预期。

三星存储业务负责人 Kim Jaejune 公开表示，当前各类存储芯片供需严重失衡，单台 AI 服务器消耗的 DRAM 是普通服务器的 8-10 倍，全球 66% 的 DRAM 产能被 AI 需求占据。三星已将 90% 资本支出投向芯片部门，全力扩产 HBM 等高附加值产品，传统存储产能持续收缩。

基于当前订单情况，三星正式宣布 2027 年存储芯片订单已全部售罄，行业严重短缺局面至少将持续至 2027 年底。与此同时，三星已全面停止 LPDDR4/4X 移动内存新订单，转向 LPDDR5、LPDDR5X 及 HBM 产品，进一步加剧传统存储供给紧张。

业内分析认为，三星业绩暴涨是全球半导体行业景气度的缩影。随着 AI 算力需求持续释放，存储芯片量价齐升逻辑明确，三星、SK 海力士、美光三大存储巨头将持续受益，而产能扩张周期长、技术壁垒高的现状，将让存储超级周期至少延续至 2028 年。