2026 年 4 月 30 日，国内封测龙头企业长电科技通过官方公众号宣布，公司已成功完成基于玻璃通孔（TGV）结构与光敏聚酰亚胺再布线工艺的晶圆级射频集成无源器件（IPD）工艺验证，各项性能指标达到国际先进水平，填补了国内玻璃基先进封装技术的空白，标志着长电科技在先进封装技术领域实现重大突破，正式进入全球高端射频封装市场。

玻璃基 TGV 射频 IPD 工艺是当前先进封装领域的前沿技术，相比传统硅基、陶瓷基封装技术，具备低介电损耗、高绝缘性、高集成度、小型化、低成本等核心优势，可大幅提升射频芯片的性能、降低功耗、缩小体积，是 5G 毫米波、6G、卫星通信、车载雷达等高端射频芯片的理想封装方案。全球范围内，仅少数国际封测巨头掌握该技术，长期垄断高端射频封装市场。

长电科技此次验证成功的玻璃基 TGV 射频 IPD 工艺，采用自研高精度玻璃通孔刻蚀技术、超薄玻璃晶圆加工技术、高密度再布线技术，实现了射频无源器件（电容、电感、电阻、滤波器）的高度集成，单颗芯片封装面积缩小 50%，射频插入损耗降低 30%，工作频率覆盖 DC-100GHz，可满足 5G 毫米波、6G 太赫兹通信、车载高频雷达等高端应用场景需求。目前，该工艺已通过多家 5G、6G 射频芯片设计公司的产品验证，获得首批批量订单，预计 2026 年 Q3 实现规模化量产。

为加速玻璃基先进封装技术的产业化，长电科技已启动玻璃基封装产线建设，计划总投资 20 亿元，在江苏江阴新建全球领先的玻璃基先进封装研发与生产基地，新增产能预计 2027 年 Q1 逐步释放，达产后可实现年产 12 英寸玻璃基晶圆封装产品 50 万片，年产值突破 30 亿元。同时，公司已组建专业的玻璃基封装技术研发团队，计划未来 3 年内投入研发费用 5 亿元，持续推进技术迭代与产品升级，巩固行业领先地位。

业内分析认为，长电科技玻璃基 TGV 射频 IPD 工艺的突破，是国内封测行业在先进封装领域的重要里程碑。当前全球先进封装市场呈现快速增长态势，AI 芯片、射频芯片、高性能计算芯片对先进封装需求爆发，而玻璃基封装作为下一代先进封装技术的核心方向，市场前景广阔。长电科技凭借此次技术突破，有望打破国际巨头的垄断，抢占全球高端射频封装市场份额，同时带动国内玻璃材料、精密加工、设备制造等相关产业链的发展，提升国内半导体封测行业的整体竞争力。